Mikrobangų tyrimų įranga |
Laboratorijoje yra įrengta 8,5 × 4,6 × 3,8 m matmenų aukštos kokybės beaidė kamera naudojama matavimams dažniuose nuo 800 MHz iki 20 GHz. Ši kamera dalinai atitinka IEC EN 61000-4-3 standarto reikalavimus elektromagnetinės emisijos tyrimams ir pilnai atitinka reikalavimus keliamus tyrinėjant elektroninių prietaisų atsparumą elektromagnetinei spinduliuotei.
|
|
|
|
Laboratorijoje turimi didelės galios mikrobangų impulsų šaltiniai leidžia generuoti iki 100 kW (iki 20 kV/m) galios impulsus 2.65 GHz, 5.7 GHz, 9.2 GHz ir 15 GHz dažniuose. Perderinamo dažnio mikrobangų impulsų stiprintuvai leidžia pasiekti ne mažesnius kaip 2 kW galios impulsus dažnių ruože nuo 1 GHz iki 18 GHz.
|
|
|
|
Beaidėje kameroje galima atlikti įvairius funkcinių medžiagų ir dangų elektromagnetinių savybių: dielektrinės skvarbos, sugerties, ekranavimo efektyvumo tyrimus atviroje erdvėje.
|
|
|
|
Mikrobangų laboratorijoje eilę metų kuriami rezistoriniai jutikliai didelės galios mikrobangų impulsams matuoti. Didelės galios mikrobangų impulso elektrinis laukas, patekęs į jutiklį, pakaitina elektronus dėl ko pasikeičia jutiklio varža. Išmatavus šį pokytį, yra nustatoma impulso, sklindančio bangolaidžiu galia. Naujos kartos rezistoriniai jutikliai yra sukurti H tipo bangolaidžiams, o jų darbinis dažnių diapazonas išplėstas daugiau nei du kartus.
|
|
|
|
Turėdami laboratorijoje komplektą didelės galios mikrobangų impulsų generatorių, perderinamus stiprintuvus, beatspindinę kamerą bei rezistorinius jutiklius mes galime atlikti mikrobangų elektrinio lauko įtakos įvairiems objektams tyrimus. Pagrindinis mūsų naudojamos metodikos privalumas yra tas, kad mes, žinodami mikrobangų galią paduodamą į spinduliuojančią anteną, galime ne tik apskaičiuoti elektrinio lauko stiprumą veikiantį tiriamą objektą, bet ir jį tiesiogiai išmatuoti, pasinaudojus priimančia ruporine antena ir prie jos prijungtu kitu rezistoriniu jutikliu.
|
|
|
|
Mikrobangų laboratorijoje vykdoma ne tik eksperimentiniai tyrimai bet ir sprendžiami elektromagnetinių bangų sklaidos uždaviniai. Pasinaudojant baigtinių skirtumo laiko skalėje metodu yra atliekamas elektromagnetinių bangų sklidimo įvairiose terpėse ir jų sąveikos su įvairiais objektais kompiuterinis modeliavimas. Tokiu būdu galima modeliuoti mikrobangų ir terahercų elektronikos komponentų elektromagnetines savybes.
|
|
Dangų formavimas
|
Magnetroninio dulkinimo įrenginys Angstrom Engineering EvoVac Skirtas plonų metalo oksidų sluoksnių ir metalinių kontaktų formavimui. Galimas paviršiaus valymas/ėsdinimas argono arba deguonies jonais.
|
|
|
|
PECVD reaktorius SVCS PECVD sistema, skirta grafeno, SiNx, SiO2, Al2O3, SiC sluoksnių nusodinimui, sudaryta iš dviejų krosnių - oksidinimo bei nitridizacijos, maksimali krosnyse pasiekiama temperatūra - 1000°C.
|
|
|
|
Terminis apdorojimas Vamzdinė krosnis Nabertherm RS 120/1000/11 (nuotrauka)skirta silicio padėklų oksidavimui bei priemaišų difuzijai, taip pat MoS2 sluoksnių formavimui ant specialiai paruoštų padėklų. Krosnies darbo temperatūra iki 1100 0C, deguonies, sauso oro bei inertinių dujų aplinkoje. Džiovinimo krosnis BINDER FDL 115, skirta įvairių tirpiklių džiovinimui. Greito atkaitinimo sistema Unitemp RTP-100-HV, skirta greitam plonų sluoksnių atkaitinimui.
|
|
|
|
Cheminių procesų laboratorija ISO7 švarumo klasės laboratorijoje yra traukos spintos, bei laminarinio srauto spintos, skirtos puslaidininkinių darinių paviršiaus paruošimui, sluoksnių centrifūginiam dengimui, bei cheminiam ėsdinimui.
|
|
Prietaisų prototipų formavimas
|
Lazerinė bešablonė litografija Heidelberg instruments DWL 66+ ISO5 švarumo klasės patalpoje esanti įranga skirta fotošablonų gamybai, bei vienpusei ir dvipusei litografijai su 600 nm skiriamąja geba.
|
|
|
|
Puslaidininkinių medžiagų formavimo įranga Oxford Instruments.
Įrangos komplektas skirtas: nusodinti dielektrinį sluoksnį kietai kaukei (PECVD), ją suformuoti (RIE), tekstūruoti puslaidininkinę medžiagą (ICP-RIE).
PECVD – Oxford Instruments PlasmaPro 80 PECVD
PECVD auginimo aparatūra skirta dielektrinių sluoksnių nusodinimui. Standartiniai procesai skirti SiO2 ir Si3N4 sluoksnių nusodinimams. Įranga turi aukšto ir žemo dažnio plazmos generatorius, kurių veikimą galima derinti, siekiant keisti sluoksnio įtemptumus. Standartinė proceso temperatūra 300℃. Naudojamos dujos: SiH4, NH3, N2O, Ar, CF4
RIE – Oxford Instruments PlasmaPro 80 RIE
Sauso ėsdinimo įrenginys, skirtas kaukės formavimui. Standartiniai procesai skirti SiO2 ir Si3N4 sluoksnių ėsdinimui. Naudojamos dujos: CF4, Ar, CHF3, O2
ICP-RIE – Oxford Instruments PlasmaPro 100 Cobra ICP180
Sauso ėsdinimo įrenginys skirtas puslaidininkiams ėsdinti. Bandinių staliuko temperatūrą galima keisti nuo -20℃ iki +60℃. Medžiagos ėsdinamos standartiniais receptais: GaAs; InP. Naudojamos dujos: Cl2, BCl3, CH4, H2, SF6, O2, N2 Ar.
|
|
|
|
Optinis mikroskopas Mikroskopas didinantis iki 1600 kartų skirtas litografijos procesų kontrolei.
|
|
|
|
Sutapatinimo įrenginiai
Sutapatinimo įrenginiai Karl Suss MJB3 ir Kulicke-Soffa skirti vienpusei fotolitografijai su 1,5 µm eksponavimo skiriamąja geba.
|
|
|
|
Surinkimo ir raižymo įrenginiai Padėklų raižytuvas OptoPhase mr200, skirtas puslaidininkių (Si, GaAs, GaSb, InP, GaP), stiklo ir kvarco padėklams raižyti. Surinkimo sistema TPT HB10 (nuotrauka), skirta Au ir Al vielučių ultragarsiniam privirinimui.
|
|
Charakterizavimo įranga |
|
Elektrinių parametrų charakterizavimo sistema, Keithley 4200-SCS / Summit 11000 Keturių zondų modulinė sistema skirta matuoti votamperines (I-V), voltfaradines (C-V) ir impulsines voltamperines (pulsed I-V) charakteristikas. Matavimai gali būti atliekami kontroliuojamoje temperatūroje nuo kambario iki +350 0C.
|
|
|
|
Skenuojančio zondo mikroskopas Dimension 3100 Mikroskopas skirtas: 1) matuoti įvairių paviršių 3D topografiją ir nustatyti paviršiaus mechaninių, elektrinių bei magnetinių savybių pasiskirstymą nanometriniu tikslumu; 2) manipuliuoti nanoobjektais paviršiuje; 3) tirti lokalų elektrinio lauko ir/arba mechaninio spaudimo poveikį paviršiui; 4) atlikti įvairios prigimties jėgų (pvz. tarpmolekulinių ryšių) spektroskopiją. Matavimai atliekami ore arba skystyje kambario temperatūroje.
|
|
|
|
Saulės imitatorius Sciencetech SS1,6kW Skirtas saulės elementų fotoelektrinių charakteristikų tyrimui AM1.5 spektro šviesoje.
|
|
|
|
Programinė įranga
SPIP 5.1.0 (Image Metrology) Programinis paketas skirtas įvairių rūšių mikroskopijos duomenų analizei. Palaikomi dauguma AFM, SEM, optinių mikroskopų bylų formatai.
|
|