Autorius: Viktorija Nargelienė
Disertacijos pavadinimas: "Įvairiatarpių GaAs/AlxGa1-xAs darinių tyrimai ir taikymai mikrobangų detekcijai"
Mokslo sritis: Fizika 02 P
Mokslinis vadovas: prof. dr. Algirdas Sužiedėlis
Gynimo data: 2013-12-20
Anotacija:
Milimetrinių bangų sritis yra perspektyvi daugelyje sričių, nuo kasdienio vartojimo įtaisų tokių, kaip telekomunikacijų tinklų įranga iki specifinių taikymų kariuomenėje, bei diagnostinėje medicinoje. Milimetrinių bangų imtuvuose dažniausiai naudojamas netiesinis elementas yra Šotkio (Schottky) diodas. Nors jo veikimo dažnių ruožas yra iki terahercų srities, tokie trūkumai kaip jautrio priklausomybė nuo temperatūros, neatsparumas elektrinėms perkrovoms, bei jo parametrų blogėjimas laikui bėgant verčia ieškoti naujų alternatyvų. Disertacijoje pristatomi dviejų tipų mikrobangų diodai, pagaminti naudojant įvairiatarpius GaAs/AlGaAs darinius. Puslaidininkinių darinių sluoksnių kokybė buvo eksperimentiškai įvertinta naudojant nuostoviosios fotoliuminescencijos ir laike koreliuoto fotonų skaičiavimo metodus. Aprašytas mikrobangų diodų gamybos procesas. Elektrinės savybės buvo įvertintos išmatavus mikrobangų diodų voltamperines charakteristikas, o detekcinės jų savybės ištirtos plačiame dažnių ruože.
Raktiniai žodžiai: GaAs/AlGaAs darinys, plenarinis diodas, mikrobangų detekcija
Metai: 2013