Temos vadovas: dr. Saulius Tumėnas (kreiptis rekomendacijos)
Spontaninio CuPt tipo atominio susitvarkymo įtaka elektroninei bismidų struktūrai
Šio tyrimo tikslas – ištirti spontaninio CuPt tipo atominio susitvarkymo mechanizmus ir jų įtaką GaAsBi bismidų elektroninei struktūrai bei optiniam atsakui. Spektroskopinės elipsometrijos (SE) matavimai (0,7-6,0 eV) bus atliekami kartu su poliarizuotos fotoliuminescencijos (FL) ir moduliacinės spektroskopijos metodais, apimant platų kompozicijų intervalą (x = 0,01-0,1) bei temperatūrų diapazoną (T = 3-350 K). Eksperimentiniai tyrimai apims: (i) susitvarkymo sukeltą valentinės juostos skilimą; (ii) optinės anizotropijos temperatūrinę evoliuciją; (iii) įtaką aukštesnės energijos kritiniams taškams; ir (iv) CuPt atominį susitvarkymą keturnariuose GaInAsBi lydiniuose. Teorinėje analizėje bus naudojami tankio funkcionalo teorijos (DFT) skaičiavimai su hibridiniais funkcionalais bei empirinių pseudopotencialų metodai, siekiant sukurti išsamų susitvarkiusių bismidų elektroninės struktūros modelį. Papildomai bus tiriama susitvarkymo įtaka THz impulsų emisijos efektyvumui per fotoelektronų orientaciją. Šis tyrimas sprendžia esminius bismidų fizikos supratimo trūkumus, kartu skatindamas jų vystymą IR, MIR ir THz optoelektronikos taikymams.