Temos vadovas: dr. Audrius Drabavičius (kreiptis rekomendacijos)
Germanio sulfido ploni sluoksniai žemos įtampos fotojutikliams
Fotodetektoriai yra vienas iš svarbiausių biomedicininės diagnostikos komponentų, tačiau nešiojamiems prietaisams vis dar trūksta tinkamų sprendimų. Silpniems chemiliuminescencijos signalams (pikovatai/nanovatai) registruoti tradiciškai naudojami masyvūs, aukštos įtampos (>1000 V) fotodaugintuvai (PMT), o labiausiai išvystyta technologija - silicio diodai fundamentaliai nepasižymi vidiniu stiprinimu. Šios doktorantūros tikslas – užpildyti šią technologinę spragą sukuriant Germanio Sulfido (GeS) plonasluoksnius fototranzistorius, kurie pasiektų PMT jautrumą su baterijoms tinkama žema darbine įtampa (<5 V). Skirtingai nei dažniausiai literatūroje minimi bandiniai iš eksfolijuotų kristalų, mes naudosime greitą terminį garinimą (RTE) didelio ploto dangų formavimui. Mokslinis šio darbo naujumas – suformuoti ir ištyrinėti GeS plonų ištisinių sluoksnių lauko tranzistorius (FET), bei pasitelkti legiravimą boru ir fosforu elektrinėms savybėms keisti. Nors įprastai legiravimas didina laidumą, mūsų atveju jis bus naudojamas su tikslu kontaktinei varžai mažinti, leidžiant efektyviai nuskurdinti kanalą ir sumažinti triukšmus. Tai leistų pasiekti aukštesnį jautrį be aukštos įtampos poreikio, atveriant kelią naujos kartos nešiojamiems diagnostikos įrenginiams.