Autorius: Ramūnas Nedzinskas
Disertacijos pavadinimas: "Epitaksinių InGaAs kvantinių taškų darinių moduliuoto atspindžio ir fotoliuminescencijos spektroskopija"
Mokslo sritis: Fizika 02 P
Mokslinis vadovas: dr. Gintaras VALUŠIS
Gynimo data: 2012-09-24
ANOTACIJA:
Saviformuojantys puslaidininkiniai kvantiniai taškai (quantum dots, QDs), kurių charakteringos elektronų subjuostinių (intraband) šuolių energijos yra infraraudonajame spektriniame ruože (3–25 μm), sudaro daugelio fotojutiklių aktyviąją terpę ir yra aktualūs taikymams šiuolaikinėje optoelektronikoje.
Disertacijoje nagrinėjami molekulinio pluoštelio epitaksijos būdu užauginti:
- InAs kvantiniai taškai, įterpti į GaAs matricą ir GaAs/AlAs supergardelę;
- InAs kvantiniai taškai be ir su įtempimus sumažinančiuoju InGaAs sluoksniu, įterpti į kompozitinę GaAs/AlAs kvantinę duobę;
- Skirtingo aukščio koloniniai InGaAs kvantiniai taškai arba kvantiniai strypeliai (quantum rods, QRs), apsupti dvimačiu InGaAs sluoksniu, ir užauginti naudojant arba As2, arba As4 šaltinį.
Taikant moduliacinę atspindžio spektroskopiją ir fotoliuminescenciją, buvo ištirtos šių darinių optinės savybės bei jų elektroninė sandara, o taip pat atskleista auginimo sąlygų įtaka darinių struktūrai. Eksperimentiniai tyrimai buvo interpretuojami atliekant teorinį modeliavimą skaitmeniniu (nextnano3 programa) bei analitiniu (sukurtas algoritmas) metodai.
Metai: 2012