Autorius: MINDAUGAS KAMARAUSKAS
Disertacijos pavadinimas: Tikslinis fotovoltinių silicio prietaisų savybių keitimas, panaudojant gilų paviršiaus tekstūrinimą ir dvimatės medžiagos dangas
Mokslo sritis: Medžiagų inžinerija T 008
Mokslinis vadovas: dr. Arūnas Šetkus
Gynimo data: 2021-11-05
ANOTACIJA: Disertacijoje pristatyti silicio paviršiaus modifikavimo metodai panaudojant metalu inicijuotą ėsdinimą ir CVD būdu nusodintą dvimatės medžiagos dangą. Modifikacijos buvo atlliekamos siekiant pagaminti fotovoltinį prietaisą. Silicio paviršiui tekstūruoti buvo naudojamas vienažingsnis variu inicijuotas ėsdinimas, kuris leido valdyti paviršiuje susidariusių darinių tipus ir dydžius. Taip leisdamas prognozuojamai keisti šviesos atspindį nuo puslaidininkio paviršiaus. Disertacijoje taip pat buvo pristatytas būdas formuoti didelio ploto juodąjį silicį, naudojant dviejų žingsnių metalu inicijuotą ėsdinimą. Parodytos šviesos atspindžio priklausomybės, taip modifikuotam siliciui, nuo technologinių parametrų, tokių kaip ėsdiklio sudėtis, katalizinio metalo storis ir ėsdinimo trukmė. Pasitelkiant legiravimo iš zolių – gelių metodiką, iš juodojo silicio buvo pagaminti saulės elementų laboratoriniai modeliai. Be to, disertacijoje buvo suformuota pn heterosandūra tarp silicio ir CVD būdu užauginto, dvimatės medžiagos savybėmis pasižyminčio, molibdeno disulfido sluoksnio. Ištirtos tokios sandūros elektrinės ir optinės savybės. Bei šios sandūros pagrindu buvo pagamintas artimosios infraraudonosios šviesos jutiklio laboratorinis modelis.
Metai: 2021.