Autorius: DANIIL PASHNEV
Disertacijos pavadinimas: AlGaN/GaN heterostruktūrų THz-ruožo optinių charakteristikų tyrimas
Mokslo sritis: Fizika N 002
Mokslinis vadovas: dr. Irmantas Kašalynas
Gynimo data: 2024-09-30
ANOTACIJA: THz dažnio spinduliuotė pasižymi unikaliomis savybėmis, todėl ji yra patraukli įvairiems taikymams. Tačiau vis dar sudėtinga sukurti THz šaltinius. Jau 50 metų siekiama panaudoti dvimačių elektronų dujų osciliacijas ir 2D plazmonų sužadinimus puslaidininkiniuose elektriškai derinamo THz šaltinio sukūrimui. Mažas spinduliavimo efektyvumas, nuostoliai, slopinimas, ir gamybos iššūkiai trukdo praktiškai įgyvendinti 2D THz plazmoninius šaltinius, nepaisant teorinių tyrimų metu atskleisto potencialo. Neseniai parodyta, kad III-nitridų heterostruktūros irgi tinkamos naudoti THz spinduliuotės šaltiniuose, kadangi temperatūra, iki kurios yra stebimi 2D plazmonų sužadinimai, gerokai viršijo skysto helio temperatūrą. Šioje disertacijoje buvo tiriamos AlGaN/GaN heterostruktūrų optinės savybės terahercų diapazone. Sukurtas ir eksperimentiškai patvirtintas analitinis modelis aprašantis THz dažnių ruožo optines savybes plono laidaus sluoksnio ant dielektrinio padėklo. Išmatuoti ir išanalizuoti pralaidumo amplitudės ir fazės spektrai 2D plazmonams, sužadintiems AlGaN/GaN heterostruktūrose su gardelės tipo užtūromis naudojant arba nenaudojant išorinę DC įtampą temperatūrų intervale nuo 77 K iki 300 K. Atlikus THz spektroskopinius tyrimus 2D plazmonų rezonanso ir 2DEG laidumo charakteristikų nustatytas Drude elektronų efektyviosios masės renormalizacijos efektas AlGaN/GaN heterostruktūrose..
Metai: 2024.