Naujienos ir renginiai

 

Sveikiname kolegą ir linkime sėkmės tolesniame moksliniame kelyje!

 

„Mano disertacija skirta aliuminio galio nitrido / galio nitrido (AlGaN/GaN) heterostruktūrų optinių savybių terahercų (THz) ruože tyrimams. Ši medžiaga naudojama nuo didelio elektronų judrio tranzistorių iki THz spinduliuotės detektorių, fazės keitiklių ir kt. Tačiau sukurti terahercinius šaltinius tebėra iššūkis. 2D plazmonų sužadinimas AlGaN/GaN heterostruktūrose gali leisti sukurti elektra kontroliuojamą THz šaltinį“, – pasakoja Daniilas.

 

Daniilas paaiškina savo darbo svarbą: „THz diapazonas yra ruožų sandūroje: tarp gigahercų, kurie naudojami elektronikoje, ir tolimųjų infraraudonųjų spindulių, kurie naudojami optikoje. THz spinduliuotė yra nejonizuojanti ir pasižymi unikaliomis savybėmis, pavyzdžiui, prasiskverbimu į daugelį nemetalinių medžiagų, tokių kaip plastikas, drabužiai ir popierius, todėl ji naudinga įvairioms saugumo technologijoms ir biologiniams tyrimams. Be to, THz dažniai bus naudojami būsimose didelės spartos belaidžio ryšio sistemose ir standartuose. Taigi, THz šaltinio kūrimas yra paklausus tiek mokslui, tiek pramonei.“

 

Pasak Daniilo, tiriamos 2D elektroninės dujos – 2D plazmonai, kurių storis yra apie kelis nanometrus. 2D plazmonams esant ant pusės milimetro storio dielektrinio pagrindo jie pasižymi reikšmingu atsaku THz diapazone (bangos ilgis apie 100 um), o tokio laidaus sluoksnio savybes galima gauti analizuojant nuotolinius THz matavimus.

 

„Svarbiausia yra 2D plazmono stebėjimas AlGaN/GaN heterostruktūrose kambario temperatūroje, atliekamas analizuojant sudėtingus (amplitudės ir fazės) perdavimo/atspindžio THz spektrus. Tai svarbu norint kurti plazmoninius prietaisus, kuriuos būtų galima naudoti įprastomis sąlygomis, pavyzdžiui, kambario temperatūroje“, – sako D. Pashev.