Doktorantūra

Atgal

Lazeriu inicijuotas dvimačių pereinamųjų metalų dichalkogenidų formavimas

T 008 Medžiagų inžinerija / Materials Engineering
dr. Romualdas Trusovas
 
LT - Lazeriu inicijuotas dvimačių pereinamųjų metalų dichalkogenidų formavimas
 
2D medžiagos sukėlė revoliuciją daugelyje mokslinių tyrimų sričių. Pavyzdžiui, grafenas pasižymi išskirtinėmis fizikinėmis savybėmis, tokiomis kaip didelis elektrinis ir šiluminis laidumas ir kitos ypatingos savybės. Šiuo metu taip pat yra tiriamos kitos 2D medžiagos, pavyzdžiui, pereinamųjų metalų dichalkogenidai (MoS2, WS2). Dėl šių medžiagų fizikinių savybių jos yra puikios kandidatės elektronikos, vandenilio ir deguonies išsiskyrimo reakcijų arba jutiklių taikymams. Naujausi tyrimai atskleidė, kad MoS2 irWS2 dvimačiai kristalai taip pat gali būti suformuoti lazeriu iš pirmtakų ((NH4)2MoS4, (NH4)2WS4). Pagrindinis lazerio naudojimo privalumas yra tas, kad 2D medžiagos formuojamos kambario temperatūroje. Šiuo metodu galima selektyviai formuoti 2D medžiagų mikrostruktūras. Svarbiausia, kad šis metodas leidžia formuoti 2D kristalus ant skirtingų padėklų, išvengiant sudėtingų perkėlimo procesų, kurie neišvengiami naudojant CVD technologiją.
 
EN - Laser-induced formation of two-dimensional transition metal dichalcogenides
 
2D materials have revolutionized many areas of research. For example, graphene has outstanding physical properties such as high electrical and thermal conductivity and other special properties. Other 2D materials, such as transition metal dichalcogenides (MoS2, WS2), are also under investigation. The physical properties of these materials make them excellent candidates for electronics, hydrogen and oxygen evolution reactions or sensing applications. Recent studies have shown that two-dimensional crystals of MoS2 and WS2 can also be laser-formed from precursors ((NH4)2MoS4, (NH4)2WS4). The main advantage of using a laser is that 2D materials are formed at room temperature. This method can be used to form microstructures of 2D materials selectively. Most importantly, this method allows 2D crystals to be formed on different substrates, avoiding the complex transfer processes that are unavoidable with CVD technology.