Plačiatarpiai puslaidininkiniai pasižymi plačia „Reststrahlen“ juosta spektre, t.y. dažniai nuo skersinio optinio (TO) iki išilginio optinio (LO) fonono, dėl to, šios medžiagos ypač tinka tirti rezonansinės sąveikos fizikinius ypatumus.
THz Fotonikos laboratorijos mokslininkai (vad. dr. I. Kašalynas) kartu su kolegomis iš Lenkijos teoriškai ir eksperimentiškai ištyrė plazmonų-fononų sužadinimo sąlygas AlGaN/GaN didelio elektronų judrio tranzistorinėse (HEMT) struktūrose, kurios užaugintos ant GaN arba SiC padėklo.
Priklausomai nuo pasirinktos bandinio sandaros ir ant jo paviršiaus suformuotos metalinės gardelės periodiškumo, „Reststrahlen“ juostose buvo pastebėta silpna bei stipri rezonansinė plazmonų sąveika su kristalinės gardelės fononais iš visų puslaidininkinių sluoksnių. Darbo rezultatai atspausdinti „Physica Status Solidi“ žurnalo 2018 m. gegužės mėn. numeryje. Be to, redakcija pasirinko papuošti šio žurnalo viršelį su autorių pasiūlyta mokslinės idėjos iliustracija.
Tikimasi, kad nauji rezultatai leis optimizuoti plazmoninių-fononinių THz emiterių spektrus ir spinduliavimo efektyvumą bei sukurti naujus THz srities šaltinius, pasižyminčius užduotu selektyvumu iš anksto pasirinktame dažnių ruože.
Tyrimai atliekami vykdant Visuotinės dotacijos projektą „Kompaktiški terahercinės spinduliuotės plazmoniniai emiteriai“ (KOTERA-PLAZA).