|
Naujausi pasiekimai
Karštųjų elektronų fliuktuacijos panaudotos tiriant labai sparčius (iki 30 fs trukmės) vyksmus didelio tankio dvimatėse elektronų dujose, kurios naudojamos įvairialyčiuose lauko tranzistoriuose. Fundamentiniai eksperimentiniai fliuktuacijų ir nepusiausvirųjų (karštųjų) fononų suirimo tyrimų rezultatai buvo susieti su tranzistorių veikos sparta ir patikimumu. Eksperimentai parodė, kad didelės galios nitridų tranzistorių veikos dažnis ir ilgaamžiškumas yra geriausi tuomet, kai karštųjų fononų suirimo trukmė (pusamžis) yra trumpiausia, o karštųjų fononų temperatūra yra žemiausia. Iki šiol mūsų pasiūlytas fliuktuacinis metodas yra vienintelis eksperimentinis būdas fononų pusamžio priklausomybėms nuo karštųjų elektronų temperatūros ir elektronų tankio dariniuose su dvimatėmis elektronų dujomis tirti, kas yra būtina optimizuojant įvairialyčių lauko tranzistorių veiką.
Pastaraisiais metais ištirti Si, 4H-SiC, GaN, ZnO ir grafeno puslaidininkiai, o taip pat AlGaN/GaN ir AlGaN/AlN/GaN, AlGaN/GaN/AlN/GaN, AlInN/AlN/GaN ir MgZnO/ZnO dariniai su dvimatėmis elektronų dujomis. Rezultatai panaudoti vykdant JAV Oro pajėgų užsakymus FA8655-09-1-3103 ir FA8655-12-1-2109, o taip pat tobulinant nitridų technologiją Virginia Commonwealth University, Richmond, 23284 USA, Kyma Technologies Inc. Raleigh, North Carolina 27617 USA.
Eksperimentiškai ištirta balistinė karštųjų elektronų pernaša per įvairialyčio dvipolio InGaP tranzistoriaus nanometrinio storio bazę. Išmatuota balistinio lėkio trukmės priklausomybė nuo bazės storio ir legiravimo. Įvertinta balistinių elektronų sukelto šratinio triukšmo ir kuloninio suvaržymo (blokados) sąsaja bei jos įtaka tranzistoriaus triukšmų charakteristikoms. Pasiūlytas esminis HICUM projektavimo procedūros patobulinimas, kuris atsižvelgia į ištirtąją sąsają. Rezultatai panaudoti tobulinant tranzistorių technologiją Dresdeno technologijos universitete, Jazz Semiconductor, Inc. California 92660 USA, Skyworks Solutions, Inc. California 91320 USA, Atmel GmbH, Baden-Württemberg 74072Germany.
Fundamentiniai balistinių karštųjų elektronų pernašos tyrimai susieti su elektrinės galios konversija į šviesą įvairialyčiuose InGaN šviesos šaltiniuose. Konversijos efektyvumui pagerinti stiprių srovių ruože pasiūlytas iš esmės naujas nanometrinis šaltinio sandas– laiptuotas elektronų purkštukas (staircase electron injector). Rezultatai panaudoti tobulinant nitridų technologiją Virginia Commonwealth University, Richmond, 23284 USA, Kyma Technologies Inc. Raleigh, North Carolina 27617 USA ir Ostendo Technologies Inc. Carlsbad, California 92001 USA
|
